台积电N3E 3nm工艺要缩水：没想到还是好事

　　其中版本划分上N3是属于常规版本，而N3E则是性能增强版，计划是2024年量产，但根据目前的技术限制，N3E变成了精简版，规格缩水。

　　据悉，N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8%，相比N5仍然会高60%。

　　虽然工艺上有所缩水，但良品率的提高和成本的下降对于消费级芯片性能过剩的今天而言，也未尝不是一件好事。

　　据悉该芯片预计本月底完成设计，预计2023年第二季度会实现量产。