虽然在华为事件发生后,中国半导体产业各端都加大了力度研发,相关企业也取得了不错的成绩,但在存储芯片这一细分领域仍然被海外企业所垄断。
据了解,存储芯片是集成电路市场中占比最大,且应用最广泛的品类,行业规模巨大,且在逐渐增长中。
TechWeb曾报道,有研究机构数据显示,到2023年全球存储芯片市场规模,预计会达到1804亿美元,约合人民币1.149万亿元。
但遗憾的是,全球存储芯片行业的垄断程度非常高,来自日本、韩国、美国的企业拿走了大部分市场份额,尤其是在内存DRAM和闪存NAND FLASH市场。
据了解,在众多存储芯片中,内存DRAM和闪存NAND FLASH的应用最为广泛,但在这两大市场,垄断态势也最为严峻。
12月26日IT之家消息,市场调查机构Omdia数据显示,目前DRAM市场基本被三星电子、SK海力士、美光三家企业瓜分。
具体来看,三星在DRAM市场的占比达到43.9%,SK海力士紧随其后,占比27.6%,而美光以22.7%的市场份额排名第三,这三家企业所占份额总计94.2%。
因为韩国美国企业的垄断,中国DRAM存储芯片企业只能在夹缝中求生存。
但要知道,中国是全球存储芯片重要需求市场,世界半导体贸易统计协会统计数据显示,中国存储芯片市场在2023年的市场规模有望达到6492亿元人民币。
而DRAM又是存储器分支中市场规模最大的产品,中国在这一细分领域受制于人,必然会影响相关产业链的发展,一旦外企因为某些原因断供中国企业,那么中国整个电子产业都将陷入困境。
因此,近些年国内各方势力一直在努力研发、创新,试图在整个存储芯片领域获得更多的话语权。
庆幸的是,在政府、政策的推动下,国内不少存储芯片领域的企业都取得了长足进步,例如紫光南京、福建晋华、合肥长鑫等,已经成长为国内DRAM存储领域的巨头。
其中,合肥长鑫被业内外视作我国短期内完成DRAM国产替代最大的希望。公开资料介绍,合肥长鑫主要生产移动DRAM,目前已经具备量产能力,而且是中国大陆唯一一家能够自主生产DRAM的厂商。
从技术方面来看,合肥长鑫DRAM正处于17nm研发阶段,计划在今年完成17nm的工艺研发,并开展DDR5 DRAM产品研发。虽然技术较三星、SK海力士和美光落后了4年,但能取得这一成绩已是十分不易。
众所周知,存储芯片属于技术密集型产业,因为技术门槛颇高,而中国在这一领域的产业基础又较为薄弱,想要在美韩企业的垄断下有所突破并不容易。
不仅如此,在存储芯片突围的过程中,还需要大量的资金投入,这相关企业来说也是一个不小的压力。因此,合肥长鑫能在美韩巨头的包围下取得如今的成绩,这非常值得我们骄傲。
另外,合肥长鑫还在加速扩充产能,于今年6月份举行了第二期12寸厂房的奠基仪式。预计在三期目标完成并满产后,合肥长鑫的产能有望达到36万片/月。
不过,我们也该清楚的认识到,合肥长鑫虽然在夹缝中实现突围,但在中国乃至全球DRAM市场上的话语权仍然非常低。中国企业想要在存储芯片领域摆脱海外企业的垄断,还有很长的一段路要走。
那么,你对中国企业突围DRAM市场是否有信心?