美企开辟EUV第二战场，美韩3家巨头掐架，国产芯片厂商面临考验

　　美韩3家巨头掐架

　　根据美国半导体巨头美光科技在此前财报会议上的说法，公司正在与光刻机大厂ASML开展谈判工作，预计在2024年，美光将采用ASML的EUV光刻机生产存储芯片。

　　根据EETOP的说法，目前的存储芯片生产并不使用高端的EUV光刻机，上一代深紫外光刻机便可以满足存储芯片的生产需求。

　　而根据快科技此前的消息，美光将由1γ(gamma)工艺节点开始导入，使用EUV工艺的存储芯片预计将在2024年进入量产阶段。

　　其实，美光不是第一家使用EUV技术生产存储芯片的厂商。快科技指出，在美光之前，三星和SK海力士已经在去年年底便布局EUV工艺，且在技术推进上更为激进。

　　众所周知，EUV工艺节点意味着更高的成本投入，而美光、三星等巨头之所以不惜重金投入，无非是看到了存储芯片市场巨大的潜力，想通过更先进的产品性能来吸引客户。与如此庞大的市场规模相比，购买EUV光刻机的支出显得“微不足道”。

　　国产芯片厂商面临考验

　　美韩3家巨头的背后，光刻机巨ASML赚得盆满钵满。根据韩国媒体BusinessKorea此前的报道，ASML将赴韩国建厂，助力三星和SK海力士扩充产能。

　　以三星为例，根据业界消息，三星计划在今年共引进10台EUV光刻机，而三星用于生产存储芯片的EUV光刻机将达到6台。而对于ASML来说，一台EUV光刻机的造价便高达1.35亿美元，仅三星一个大客户便可以带来可观的营收。

　　不过，几家欢喜几家愁。对于国内的存储芯片厂商来说，美企韩企的“混战”，无疑意味着更大的挑战。

　　Strategy Analytics的数据显示，今年一季度，三星在智能手机NAND闪存芯片市场的占比达到42%，在DRAM存储芯片市场的占比同样高达54%，霸主地位毋庸置疑。而排在三星之后的，正是SK海力士和美光。

　　而对于国内厂商来说，在市场份额、技术水平并不占优势的情况下，三星等巨头又有了EUV光刻机的加持，国内厂商想要追赶无疑是难上加难。

　　在国内，长江存储、合肥长鑫等均是国产存储的希望。2020年4月，长江存储发布了两款128层3D NAND闪存芯片，在先进工艺上迈出了重要一步。

　　而合肥长鑫也在2019年成功量产19nm工艺的DRAM存储器产品，并开始向更为先进的17nm等演进。

　　不过，虽然国内厂商极力追赶，与国际巨头的差距仍明显存在。目前，DRAM存储芯片的工艺制程已经推进至10nm左右，且国内厂商还需克服量产的良品率等问题，可谓任重而道远。

　　写在最后

　　美企韩企的混战给国内厂商敲响了警钟，国内企业唯有加速自主研发，才能摆脱核心工艺受制于人的局面，国产存储芯片终将在国际舞台大放异彩。